基本信息:
- 专利标题： 급속열처리 장치용 양면가열형 진공반응로
- 专利标题（英）：Vacuum reaction furnace
- 专利标题（中）：真空反应炉
- 申请号：KR1019900007227 申请日：1990-05-21
- 公开(公告)号：KR1019930001898B1 公开(公告)日：1993-03-19
- 发明人： 김윤태 , 전치훈 , 이영수 , 김보우
- 申请人： 한국전자통신연구원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 代理人： 김영길
- 主分类号： H01L21/263
- IPC分类号： H01L21/263
摘要：
The vacuum reactor for heating both sides of the workpiece in the rapid heat treatment apparatus includes an upper tungsten halogen lamp (1) on the wall (7) of the vacuum reactor the sides of which are welded by an oxidized aluminum plate, an infrared heating part (3) provided at the top of an upper window (5), a lower tungsten halogen lamp (2) provided at the lower infrared heating part (4) provided at the bottom of an lower window (6). The reaction room (A) is formed by the upper window, the lower window, and the reactor walls (7).
摘要（中）：
用于在快速热处理设备中加热工件的两侧的真空反应器包括在真空反应器的壁（7）上的上卤钨灯（1），其侧面由氧化铝板焊接，红外线加热 设置在上部窗口（5）的顶部的部分（3），设置在下部窗口（6）的底部处的下部红外加热部分（4）处的下部钨卤素灯（2）。 反应室（A）由上窗，下窗和反应器壁（7）形成。
公开/授权文献:
- KR100062410B1 급속열처리 장치용 양면가열형 진공반응로 公开/授权日：1993-06-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |