基本信息:
- 专利标题： 저온 에피택셜층 형성방법
- 专利标题（英）：METHOD FOR MANUFACTURING AN EPITAXIAL LAYER IN LOW TEMPERATURE
- 申请号：KR1020160146049 申请日：2016-11-03
- 公开(公告)号：KR101960763B1 公开(公告)日：2019-03-21
- 发明人： 유두열 , 신승우 , 유차영 , 정우덕 , 최호민 , 오완석 , 김희식 , 김은호 , 박성진
- 申请人： 주식회사 유진테크
- 申请人地址： 경기도 용인시 처인구 양지면 추계로 **
- 专利权人： 주식회사 유진테크
- 当前专利权人： 주식회사 유진테크
- 当前专利权人地址： 경기도 용인시 처인구 양지면 추계로 **
- 代理人： 정성진
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285 ; H01L21/20 ; H01L21/02 ; H01L21/203 ; H01L21/324
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/283 | .....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积 |
| ------------------H01L21/285 | ......气体或蒸气的沉积，例如冷凝 |