基本信息:
- 专利标题: 반도체 장치 및 그 제조 방법
- 专利标题(英):KR101931115B1 - Semiconductor device and method of forming the same
- 申请号:KR1020120073432 申请日:2012-07-05
- 公开(公告)号:KR101931115B1 公开(公告)日:2018-12-20
- 发明人: 박연상 , 박병률 , 강성희 , 김태성 , 문광진 , 방석철
- 申请人: 삼성전자주식회사
- 申请人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人: 특허법인 고려
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/28
摘要:
반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과, 제 2 면의 일부가 리세스된 패드 트렌치를 갖는 반도체 기판; 반도체 기판을 관통하며, 패드 트렌치에서 돌출된 관통 전극; 및 패드 트렌치 내에 매립되어 관통 전극을 둘러싸는 매립 패드를 포함한다.
摘要(英):
The semiconductor device and its manufacturing method are provided. The semiconductor device includes a first surface and a semiconductor substrate having a second surface, the pad trench portion with a recess in a second surface opposite to each other; And penetrating through the semiconductor substrate, the through electrode pads protruding from the trench; It is buried in the trench and the pad and surrounding the through-hole comprises a buried pad.
公开/授权文献:
- KR1020140008552A 반도체 장치 및 그 제조 방법 公开/授权日:2014-01-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |