基本信息:
- 专利标题: 화소
- 专利标题(英):KR101930439B1 - Pixel
- 申请号:KR1020170174380 申请日:2017-12-18
- 公开(公告)号:KR101930439B1 公开(公告)日:2018-12-19
- 发明人: 정진태 , 김창엽 , 곽원규
- 申请人: 삼성디스플레이 주식회사
- 申请人地址: 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 专利权人: 삼성디스플레이 주식회사
- 当前专利权人: 삼성디스플레이 주식회사
- 当前专利权人地址: 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 代理人: 팬코리아특허법인
- 主分类号: H01L29/423
- IPC分类号: H01L29/423 ; H01L27/32 ; G09G3/325 ; H01L27/12 ; H01L29/786
摘要:
화소는 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드에 데이터 신호에 따른 구동 전류를 전달하는 구동 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 반도체층 중 적어도 제1 영역과 중첩하도록 연장되어 위치하는 배선을 포함한다.
摘要(英):
Pixel includes an organic light-emitting diode, a driving transistor for passing a driving current corresponding to the data signal to the organic light emitting diode, and a wiring disposed extending at least so as to overlap with the first region of the semiconductor layer of the driving transistor.
公开/授权文献:
- KR1020170143479A 화소 公开/授权日:2017-12-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |