基本信息:
- 专利标题: 유전체 기판과 금속 층 사이에 접착을 증진시키는 방법
- 专利标题(英):KR101927679B1 - Method for promoting adhesion between dielectric substrates and metal layers
- 申请号:KR1020147027285 申请日:2013-03-21
- 公开(公告)号:KR101927679B1 公开(公告)日:2018-12-11
- 发明人: 테브스디르크 , 미할릭파비안 , 힐이바네스벨렌 , 브란트루츠 , 시에맹체 , 지밍리우
- 申请人: 아토테크더치랜드게엠베하
- 申请人地址: ERASMUSSTRASSE ** ***** BERLIN GERMANY
- 专利权人: 아토테크더치랜드게엠베하
- 当前专利权人: 아토테크더치랜드게엠베하
- 当前专利权人地址: ERASMUSSTRASSE ** ***** BERLIN GERMANY
- 代理人: 특허법인코리아나
- 优先权: EP120750369 2012-03-29
- 国际申请: PCT/EP2013/055901 2013-03-21
- 国际公布: WO2013143961 2013-10-03
- 主分类号: C23C18/20
- IPC分类号: C23C18/20 ; C23C18/26
摘要:
본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.
摘要(英):
The present invention relates to a novel process for the metallization of the dielectric substrate to the surface treatment, and then oxidizing the coated organosilane composition. The method includes plating a metal surface while at the same time to place the smooth surface of the substrate to exhibit a high adhesion between the substrate and the plated metal in good condition.
公开/授权文献:
- KR1020140143764A 유전체 기판과 금속 층 사이에 접착을 증진시키는 방법 公开/授权日:2014-12-17