基本信息:
- 专利标题: 화합물 반도체 태양전지의 제조 방법
- 专利标题(英):KR101926621B1 - Manufacturing method a compound semiconductor solar cell
- 申请号:KR1020130056284 申请日:2013-05-20
- 公开(公告)号:KR101926621B1 公开(公告)日:2018-12-07
- 发明人: 장지영 , 윤원기 , 최원석
- 申请人: 엘지전자 주식회사
- 申请人地址: ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人: 엘지전자 주식회사
- 当前专利权人: 엘지전자 주식회사
- 当前专利权人地址: ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人: 특허법인로얄
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
본 발명에 따른 화합물 반도체 태양전지의 제조 방법은, 기판을 제공하는 단계; 기판 위에 희생층(sacrificial layer)을 형성하는 단계; 희생층 위에 활성층(active layer)을 형성하는 단계; 활성층 위에 금속층(metal layer)을 형성하는 단계; 금속층의 수축 현상에 의해 활성층의 곡률반경이 감소되도록 금속층을 경화하는 단계; 및 에피택셜 리프트 오프(epitaxial lift-off)에 의해 희생층을 제거하여 활성층 및 금속층을 기판으로부터 리프팅(lifting)하는 단계를 포함한다.
摘要(英):
The process for producing the compound semiconductor solar cell according to the present invention includes the steps of: providing a substrate; Forming a sacrificial layer (sacrificial layer) on the substrate; Forming an active layer (active layer) on the sacrificial layer; Forming a metal layer (metal layer) over the active layer; Curing the metal layer so that the decrease in the radius of curvature of the active layer by the shrinkage of the metal layer; And epitaxial lift-off to remove the sacrificial layer by the (epitaxial lift-off) and a step of lifting (lifting) the active layer and the metal layer from the substrate.
公开/授权文献:
- KR1020140136557A 화합물 반도체 태양전지의 제조 방법 公开/授权日:2014-12-01