基本信息:
- 专利标题: 기판 캐리어를 이용한 하이브리드 레이저 및 플라즈마 에칭 웨이퍼 다이싱
- 专利标题(英):KR101925957B1 - Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
- 申请号:KR1020147001008 申请日:2012-05-31
- 公开(公告)号:KR101925957B1 公开(公告)日:2018-12-06
- 发明人: 싱흐,사라브지트 , 이튼,브래드 , 쿠마르,아제이 , 레이,웨이-솅 , 홀든,제임스엠. , 얄라만칠리,매드하바,라오 , 이간,토드제이.
- 申请人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人: 특허법인 남앤남
- 优先权: US13/161,052 2011-06-15
- 国际申请: PCT/US2012/040289 2012-05-31
- 国际公布: WO2012173790 2012-12-20
- 主分类号: H01L21/78
- IPC分类号: H01L21/78 ; H01L21/301
摘要:
반도체 웨이퍼들을 다이싱하는 방법들이 설명되며, 각각의 웨이퍼는 복수의 집적 회로들을 갖는다. 방법은 반도체 웨이퍼 위에 마스크를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 마스크는, 집적 회로들을 커버하고 보호하는 층으로 이루어진다. 반도체 웨이퍼는 기판 캐리어에 의해 지지된다. 이후, 상기 마스크를 레이저 스크라이빙 프로세스에 의해 패터닝하여, 갭들을 갖는 패터닝된 마스크를 제공함으로써, 집적 회로들 사이의 반도체 웨이퍼의 영역들을 노출시킨다. 이후, 기판 캐리어에 의해 지지되는 동안, 집적 회로들을 싱귤레이트(singulate)하기 위해, 패터닝된 마스크 내의 갭들을 통해서 반도체 웨이퍼가 에칭된다.
摘要(英):
Method of dicing the semiconductor wafer to be described, each wafer has a plurality of integrated circuits. Method includes the steps of forming a mask on the semiconductor wafer, the mask is composed of a layer that covers and protects the integrated circuit. The semiconductor wafer is supported by a substrate carrier. Then, the patterned by the mask to the laser scribing process, by providing a patterned mask having the gap, thereby exposing a region of the semiconductor wafer between the integrated circuit. Then, in order to singulated (singulate) the integrated circuit while being supported by a substrate carrier, the semiconductor wafer is etched through the gaps in the patterned mask.
公开/授权文献:
- KR1020140039050A 기판 캐리어를 이용한 하이브리드 레이저 및 플라즈마 에칭 웨이퍼 다이싱 公开/授权日:2014-03-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |