基本信息:
- 专利标题： 에어갭을 구비한 그래핀 트랜지스터, 그를 구비한 하이브리드 트랜지스터 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：KR101878745B1 - Graphene transistor having air gap and hybrid transistor having the same and methods of fabricating the same
- 申请号：KR1020110113585 申请日：2011-11-02
- 公开(公告)号：KR101878745B1 公开(公告)日：2018-08-20
- 发明人： 정현종 , 정우인 , 김기남
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
에어갭을구비한그래핀트랜지스터, 그를구비한하이브리드트랜지스터및 그제조방법이 개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는는기판상의게이트전극과, 상기게이트전극상의그래핀채널과, 상기그래핀채널상에서서로이격된소스전극및 드레인전극과, 상기소스전극및 드레인전극상을덮으며, 상기상기소스전극및 상기드레인전극사이에에어갭을형성하는커버를포함한다.
摘要（英）：
Graphene is a transistor, and a hybrid transistor, and a manufacturing method provided with him having an air gap is provided. Disclosed yes were pin transistor neunneun cover the gate electrode on the substrate, and the graphene channel on the gate electrode, the graphene that are spaced apart from each other on the channel the source electrode and the drain electrode, the source electrode and the drain electrode a, the said source electrodes and a cover to form an air gap between the drain electrode.
公开/授权文献:
- KR1020130048630A 에어갭을 구비한 그래핀 트랜지스터, 그를 구비한 하이브리드 트랜지스터 및 그 제조방법 公开/授权日：2013-05-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |