基本信息:
- 专利标题： 전기도금용 셀을 위한 고저항 가상 애노드
- 专利标题（英）：KR101860216B1 - High resistance virtual anode for electroplating cell
- 申请号：KR1020160131291 申请日：2016-10-11
- 公开(公告)号：KR101860216B1 公开(公告)日：2018-05-21
- 发明人： 왕포웨이 , 창천린
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： US62/261,209 2015-11-30; US15/154,986 2016-05-14
- 主分类号： C25D17/12
- IPC分类号： C25D17/12 ; C25D17/00 ; C25D17/06 ; C25D17/02 ; C25D7/12 ; H01L21/288
摘要：
전기도금용셀을위한고저항가상애노드는제1 층과제2 층을포함한다. 제1 층은그 제1 층을관통하는복수의제1 홀을포함한다. 제2 층은제1 층위에있고그 제2 층을관통하는복수의제2 홀을포함한다.
摘要（英）：
Electricity and the high resistance virtual anode for electroplating cell comprises a first layer and the second layer. The first layer comprises a plurality of first holes through the first layer. The second layer comprises a plurality of second holes through the second layer and on the first layer.
公开/授权文献:
- KR1020170063346A 전기도금용 셀을 위한 고저항 가상 애노드 公开/授权日：2017-06-08
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25D | 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置 |
| ------C25D17/00 | 电解镀覆用电解槽的结构件、或其组合件 |
| --------C25D17/02 | .镀槽；镀槽的安装 |
| ----------C25D17/12 | ..形状或类型 |