基本信息:
- 专利标题： 압전체 박막 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：KR101830490B1 - Piezoelectric thin film and method for producing same
- 专利标题（中）：压电薄膜及其制造方法
- 申请号：KR1020157033570 申请日：2014-05-22
- 公开(公告)号：KR101830490B1 公开(公告)日：2018-02-20
- 发明人： 데시가하라아키히코 , 가노가즈히코 , 아키야마모리토 , 니시쿠보게이코
- 申请人： 가부시키가이샤 덴소 , 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
- 申请人地址： 일본국 아이치켄 가리야시 쇼와초 *초메 *반치
- 专利权人： 가부시키가이샤 덴소,내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 덴소,내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
- 当前专利权人地址： 일본국 아이치켄 가리야시 쇼와초 *초메 *반치
- 代理人： 양영준; 차영란; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2013-115477 2013-05-31
- 国际申请： PCT/JP2014/002697 2014-05-22
- 国际公布： WO2014192265 2014-12-04
- 主分类号： H01L41/316
- IPC分类号： H01L41/316 ; C23C14/06
It is obtained by sputtering, and a piezoelectric film made of a scandium aluminum nitride. The content of the carbon atoms is 2.5at% or less. In the production of the piezoelectric film, in an atmosphere containing at least nitrogen gas, the content of carbon atoms sputtered from the aluminum and scandium 5at% or less scandium aluminum alloy target material simultaneously on the substrate. It is also possible to obliquely sputtered by irradiating the ion beam on the opposite surface material alloy target. It is also possible to sputter the aluminum and scandium Sc at the same time on the substrate from the target material and the target material Al. This makes it possible to provide a piezoelectric film and a method of manufacturing the same exhibiting excellent piezoelectric properties.
公开/授权文献:
- KR1020160003777A 압전체 박막 및 그 제조 방법 公开/授权日：2016-01-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H04 | 电通信技术 |
| ----H04R | 扬声器、送话器、唱机拾音器或类似的传感器 |
| ------H01L41/16 | .材料的选择 |
| --------H01L41/253 | ..对器件或其部件进行处理以改变压电或电致伸缩特性，例如极化特性、振动特性或模式调整 |
| ----------H01L41/312 | ...通过层压或键合压电或电致伸缩本体 |
| ------------H01L41/316 | ....通过气相沉积 |