基本信息:
- 专利标题： 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor devices and method of forming the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其形成方法
- 申请号：KR1020150166801 申请日：2015-11-26
- 公开(公告)号：KR101784570B1 公开(公告)日：2017-10-11
- 发明人： 후앙쳉린 , 린멩리앙
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： US14/688,883 2015-04-16
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/31 ; H01L23/28 ; H01L23/48 ; H01L25/07
摘要：
반도체디바이스및 그제조방법이설명된다. 실시예는기판상에패드를포함하는디바이스이다. 패시베이션막이기판상에있고패드의적어도일부를덮는다. 제1 도전성피쳐가패드상에있고평면형상부면을갖고, 제1 도전성피쳐는패드로부터제1 도전성피쳐의평면형상부면까지측정되는제1 높이를갖는다. 제2 도전성피쳐가패시베이션막상에있고비평면형상부면을갖고, 제2 도전성피쳐는패시베이션막으로부터제2 도전성피쳐의비평면형상부면까지측정되는제2 높이를갖는다.
摘要（中）：
描述半导体器件及其制造方法。 一个实施例是一种包括衬底上的衬垫的器件。 钝化膜位于衬底上并覆盖衬垫的至少一部分。 第一导电部件在焊盘上并具有平坦的顶面，其中第一导电部件具有从焊盘到第一导电部件的平面顶面测量的第一高度。 第二导电部件位于钝化膜上并且具有非平面表面，并且第二导电部件具有从钝化膜到第二导电部件的非平面表面测量的第二高度。
摘要（英）：
The semiconductor device and its manufacturing method will be described. Embodiment is a device including a pad on a substrate. The passivation film is located on the substrate to cover at least a portion of the pad. A first conductive feature is in the pad has a flat top surface, a first electrically conductive feature has a first height, measured from the planar upper surface of the first conductive feature from the pad. A second conductive feature is in the passivation film has a non-planar upper surface, a second electrically conductive feature has a second height as measured from a non-planar upper surface of the second conductive feature from the passivation film.
公开/授权文献:
- KR1020160123967A 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 公开/授权日：2016-10-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |