基本信息:
- 专利标题： 펄스 플라즈마 장치 및 펄스 플라즈마 장치 구동 방법
- 专利标题（英）：Pulse plasma apparatus and method for operating the same
- 专利标题（中）：脉冲等离子体装置及其操作方法
- 申请号：KR1020140148444 申请日：2014-10-29
- 公开(公告)号：KR101677748B1 公开(公告)日：2016-11-29
- 发明人： 권오형 , 강남준 , 성덕용 , 조정현
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H05H1/46
摘要：
본발명의기술적사상에의한펄스플라즈마장치는공정챔버에서반사되는반사전력을최소화하여펄스플라즈마를이용한반도체웨이퍼의식각공정의효율성을향상시키기위해, 0이아닌복수의레벨을가진펄스플라즈마전력을인가하고, 상기복수의레벨의플라즈마전력에따른임피던스정합커패시턴스를상기복수의레벨플라즈마의듀티사이클의비율에따라조합하여임피던스를정합할수 있는것을특징으로한다.
摘要（中）：
脉冲等离子体装置包括处理室，源RF发生器，被配置为向处理室的上电极提供具有第一和第二占空比的第一和第二电平的RF脉冲功率，被配置为指示反射RF功率的反射功率指示器，第一 匹配网络和控制器。 当分别提供第一级RF脉冲功率或第二级RF脉冲功率时，第一匹配网络被配置为将处理室的阻抗与源RF发生器的阻抗分别匹配为第一或第二匹配电容值。 控制器被配置为基于第一和第二匹配电容值和第一和第二占空比的比率来计算第三匹配电容值，将第三匹配电容值提供给第一匹配网络，并且控制源RF发生器和 第一匹配网络。
摘要（英）：
Pulse plasma apparatus according to the technical spirit of the present invention is to improve the effectiveness of the etching process of the semiconductor wafer by minimizing the reflected power that is reflected in the process chamber using a pulsed plasma, applying a pulse plasma power having a plurality of levels other than 0 , and the impedance-matching capacitance in accordance with the plasma power of the plurality of levels is characterized in that the impedance matching can be combined according to the ratio of the duty cycle of the plurality of plasma levels.
公开/授权文献:
- KR1020160050396A 펄스 플라즈마 장치 및 펄스 플라즈마 장치 구동 방법 公开/授权日：2016-05-11