基本信息:
- 专利标题： 트랜지스터, 집적 회로 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same
- 专利标题（中）：晶体管集成电路及其制造方法
- 申请号：KR1020140186025 申请日：2014-12-22
- 公开(公告)号：KR101656955B1 公开(公告)日：2016-09-12
- 发明人： 창치아-하오 , 시에밍-산 , 첸청-롱 , 리엔와이-이 , 왕치-하오
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： US14/461,061 2014-08-15
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/66
摘要：
트랜지스터, 집적회로및 집적회로의제조방법이제공된다. 다양한실시형태에있어서, 트랜지스터는소스전극, 적어도하나의반도체채널, 게이트전극, 드레인전극및 드레인패드를포함한다. 소스전극은기판내에배치된다. 반도체채널은소스전극에실질적으로수직으로연장된다. 게이트전극은반도체채널을둘러싼다. 드레인전극은반도체채널의상단상에배치된다. 다중도전성층을포함하는드레인패드가드레인전극상에배치된다.
摘要（英）：
Transistor, there is provided a method of manufacturing the integrated circuit and the integrated circuit. In various embodiments, the transistor comprises a source electrode, at least one of the semiconductor channel, a gate electrode, a drain electrode, and the drain pad. The source electrode is disposed in the substrate. Semiconductor channel is substantially extends perpendicular to the source electrode. A gate electrode surrounds the semiconductor channel. The drain electrode is disposed on the top of the semiconductor channel. The drain pad including a multi-conductive layer is disposed on the drain electrode.
公开/授权文献:
- KR1020160021007A 트랜지스터, 집적 회로 및 그 제조 방법 公开/授权日：2016-02-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |