基本信息:
- 专利标题： 산화물 표면 대신 베어 실리콘 상의 폴리머 막들의 선택적 증착
- 专利标题（英）：Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface
- 专利标题（中）：聚合物薄膜选择沉积在裸硅上而不是氧化物表面上
- 申请号：KR1020147000506 申请日：2012-05-11
- 公开(公告)号：KR101516648B1 公开(公告)日：2015-05-04
- 发明人： 야오,다핑
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US13/456,524 2012-04-26; US61/495,850 2011-06-10
- 国际申请： PCT/US2012/037529 2012-05-11
- 国际公布： WO2012170150 2012-12-13
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
摘要：
베어 실리콘의 영역들 및 그 위에 형성된 산화물의 영역들을 갖는 실리콘 기판들 상의 선택적 증착의 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판을 처리 챔버 내의 웨이퍼 지지체 상에 위치시키는 단계, 탄소-함유 가스를 반응기 내로 유입시키는 단계, 바이어스를 기판에 인가하는 단계, 탄소-함유 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계, 플라즈마 도핑 프로세스에 의해 탄소 이온들을 기판 상의 산화물의 영역들 내로 주입하는 단계, 및 베어 실리콘 영역들 상에 탄소-함유 막을 증착하는 단계를 포함한다.
摘要（中）：
公开了一种选择性沉积在硅衬底上的方法，该硅衬底具有裸硅区域和形成在其上的氧化物区域。 该方法包括将衬底放置在处理室中的晶片支撑件上，将含碳气体引入到反应器中，向衬底施加偏压，从含碳气体生成等离子体， 将碳离子注入衬底上的氧化物区域，并在裸露的硅区域上沉积含碳膜。
摘要（英）：
The method for selective deposition on silicon substrates are disclosed having the areas of the regions and of the bare silicon oxide formed thereon. The method includes a substrate comprising: placing the wafer support in the processing chamber, the carbon-in generating a plasma from a gas containing a plasma doping process-step of flowing a gas containing into the reactor, the method comprising applying a bias to the substrate, the carbon and a step of depositing a film containing-by step, and the carbon on the bare silicon regions of implanting carbon ions into the regions of oxide on the substrate.
公开/授权文献:
- KR1020140037202A 산화물 표면 대신 베어 실리콘 상의 폴리머 막들의 선택적 증착 公开/授权日：2014-03-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |