基本信息:
- 专利标题： 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟
- 专利标题（英）：Field-effect transistor, method for manufacturing same, and sputtering target
- 专利标题（中）：场效应晶体管，其制造方法以及溅射靶材
- 申请号：KR1020117004656 申请日：2009-08-26
- 公开(公告)号：KR101516050B1 公开(公告)日：2015-05-04
- 发明人： 야노고키 , 가와시마히로카즈 , 이노우에가즈요시
- 申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人： 제일특허법인
- 优先权： JPJP-P-2008-218054 2008-08-27
- 国际申请： PCT/JP2009/004113 2009-08-26
- 国际公布： WO2010023889 2010-03-04
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336
On a substrate, and at least a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a semiconductor layer protective layer, and has a source electrode and a drain electrode, and a source electrode and a drain electrode is connected via the semiconductor layer, a gate electrode and a gate insulating film and between the semiconductor layer and has a protective layer on at least one surface side of the semiconductor layer, and a semiconductor layer oxide containing in atom and Sn atom and a Zn atom, which is represented by Zn / (in + Sn + Zn) the atomic composition ratio of 25 atomic% to 75 atomic% or less, Sn / field-effect transistor characterized in that the atomic composition ratio is less than 50 atomic% is represented by (in + Sn + Zn).
公开/授权文献:
- KR1020110053978A 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟 公开/授权日：2011-05-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |