基本信息:
- 专利标题: 산화물 반도체 전계효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법
- 专利标题(英):Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same
- 专利标题(中):氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
- 申请号:KR1020107013989 申请日:2008-12-19
- 公开(公告)号:KR101516034B1 公开(公告)日:2015-05-04
- 发明人: 야노고키 , 가와시마히로카즈 , 이노우에가즈요시 , 도마이시게카즈 , 가사미마사시
- 申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人: 제일특허법인
- 优先权: JPJP-P-2007-332508 2007-12-25; JPJP-P-2007-338918 2007-12-28
- 国际申请: PCT/JP2008/073252 2008-12-19
- 国际公布: WO2009081885 2009-07-02
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; G02F1/136
摘要:
In 원소 및 Zn 원소와, Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y 및 란타노이드류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 원소 X를, 하기 (1) 내지 (3)의 원자비로 포함하는 복합 산화물로 이루어지는 반도체층을 갖는 전계효과형 트랜지스터.
In/(In+Zn)=0.2 내지 0.8 (1)
In/(In+X)=0.29 내지 0.99 (2)
Zn/(X+Zn)=0.29 내지 0.99 (3)
摘要(中):
In/(In+Zn)=0.2 내지 0.8 (1)
In/(In+X)=0.29 내지 0.99 (2)
Zn/(X+Zn)=0.29 내지 0.99 (3)
并且由In和Zn元素与Zr,Hf,Ge,Si,Ti,Mn,W,Mo,V,Cu,Ni,Co,Fe,Cr,Nb,Al, 并且选自由以下元素(1)至(3)组成的组中的至少一种元素X.
摘要(英):
The In element, Zn element, Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoid acids consisting of to at least one element X selected from the group of (1) to (3), the field effect transistor having a semiconductor layer made of a composite oxide containing an atomic ratio of.
In / (In + Zn) = 0.2 to 0.8 (1)
In / (In + X) = 0.29 to 0.99 (2)
Zn / (X + Zn) = 0.29 to 0.99 (3)
公开/授权文献:
- KR1020100094535A 산화물 반도체 전계효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법 公开/授权日:2010-08-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
------------H01L29/70 | ...双极器件 |
--------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |