基本信息:
- 专利标题： 처리 방법 및 처리 장치
- 专利标题（英）：Processing method and processing apparatus
- 专利标题（中）：加工方法和加工设备
- 申请号：KR1020147024922 申请日：2013-01-11
- 公开(公告)号：KR101511005B1 公开(公告)日：2015-04-10
- 发明人： 이나오요시히로 , 가지마아츠오 , 하세가와다쿠마 , 다무라고키 , 요코이시게루
- 申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
- 申请人地址： 일본국 가나가와껭 가와사끼시 나까하라구 나까마루꼬 ***반찌
- 专利权人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와껭 가와사끼시 나까하라구 나까마루꼬 ***반찌
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2012-024472 2012-02-07
- 国际申请： PCT/JP2013/050468 2013-01-11
- 国际公布： WO2013118536 2013-08-15
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; B23K26/18 ; H01L21/301 ; H01L21/302
摘要：
웨이퍼 (1) 와, 접착층 (10) 과, 분리층 (11) 과, 지지체를이 순서로적층하여이루어지는적층체의, 분리층 (11) 에광을조사하여변질시키고, 적층체로부터지지체를제거한후에, 분리층 (11) 을제거하는박리액을분리층 (11) 에도포하여, 분리층 (11) 을제거하는분리층제거공정과, 접착층 (10) 을용해하는용해액을접착층 (10) 에도포하여, 접착층 (10) 을용해시키는접착층용해공정을포함하고있다.
摘要（英）：
Wafer 1 and the adhesive layer 10, separation layer 11, and a support deteriorated by irradiation of light, the separation layer 11 of the laminated body formed by laminating in this order, removing the support from the laminate after isolation layer 11 is applied to the separation layer 11, a stripper to remove, the dissolved solution for dissolving the separation layer removing step of removing the separation layer 11, adhesive layer 10, adhesive layer 10, by coating, the adhesive layer includes a dissolution step of dissolving the adhesive layer (10).
公开/授权文献:
- KR1020140114904A 처리 방법 및 처리 장치 公开/授权日：2014-09-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |