基本信息:
- 专利标题： 전도성 기판 및 이의 제조방법
- 专利标题（英）：Conducting substrate and method for preparing the same
- 专利标题（中）：导电基板及其制备方法
- 申请号：KR1020130148757 申请日：2013-12-02
- 公开(公告)号：KR101504839B1 公开(公告)日：2015-03-23
- 发明人： 황지영 , 손용구 , 성지현
- 申请人： 주식회사 엘지화학
- 申请人地址： ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, Republic of Korea
- 专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人地址： ***, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul, Republic of Korea
- 代理人： 정순성
- 优先权： KR1020120138340 2012-11-30; KR1020120138364 2012-11-30
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00 ; H01B13/00
摘要：
본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 기판의 제조방법은, 1) 기재 상에 결정질 투명 전도성층을 형성하는 단계; 2) 상기 결정질 투명 전도성층 상에 비결정질 투명 전도성층을 형성하는 단계; 3) 상기 비결정질 투명 전도성층을 패터닝하여, 상기 결정질 투명 전도성층의 일부가 노출되도록 적어도 하나의 패턴 오픈 영역을 형성하는 단계; 및 4) 상기 적어도 하나의 패턴 오픈 영역에 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要（英）：
Method for producing a conductive substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, 1) forming a crystalline transparent conductive layer on a substrate; 2) forming an amorphous transparent conductive layer on the crystalline transparent conductive layer; 3) forming at least one pattern area open to pattern the amorphous transparent conductive layer, such that the exposed portion of the crystalline transparent conductive layer; And 4) a step of forming the metal layer on at least one open area of the pattern.
公开/授权文献:
- KR1020140074209A 전도성 기판 및 이의 제조방법 公开/授权日：2014-06-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L51/00 | 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备 |