基本信息:
- 专利标题： 웨이퍼 접합방법
- 专利标题（英）：Method of wafer bonding
- 专利标题（中）：WAFER BONDING的方法
- 申请号：KR1020100115537 申请日：2010-11-19
- 公开(公告)号：KR101503027B1 公开(公告)日：2015-03-18
- 发明人： 유정희 , 강현서 , 윤광수 , 임권섭 , 고재상
- 申请人： 한국전자통신연구원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人： 한국전자통신연구원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
반도체 소자 제작에 있어서, 반도체 기판 직접접합 방법이 사용된다. 종래의 반도체 기판 접합방법은 보이드(void)발생 및 뒤틀림 현상으로 불량품 양산의 문제점을 가지고 있다. 본 발명에서 제공하는 반도체 기판 직접접합 방법은 두 반도체 기판간의 접합표면을 활성화 시키고, 서로 맞대어 가압하여 초기접합을 이룬 후, 열처리 과정에서 열을 접합기판의 중앙부부터 가장자리로 전달하여 보이드(void)발생을 감소시켜 제품의 품질 유지와 수율을 향상시킬 수 있다.
摘要（英）：
In the semiconductor device production, the semiconductor substrate directly bonding method is used. Conventional semiconductor substrate joining method has a problem of defective products caused by production and distortions void (void). A semiconductor substrate directly bonding method provided by the present invention enable the junction surface between the two semiconductor substrates and, after accomplished the initial bonding to butt pressing each other, by passing the edges the heat from the central portion of a bonded substrate in heat treatment process, a void (void) caused It reduces the maintenance can improve the quality and yield of products.
公开/授权文献:
- KR1020120054252A 웨이퍼 접합방법 公开/授权日：2012-05-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |