냉각판, 그 제조방법 및 반도체 제조 장치용 부재

专利标题： 냉각판, 그 제조방법 및 반도체 제조 장치용 부재
专利标题（英）：Cooling plate, method for manufacturing the same, and member for semiconductor manufacturing apparatus
专利标题（中）：冷却板及其制造方法以及半导体制造装置用部件
申请号：KR1020147030457 申请日：2014-03-05
公开(公告)号：KR101499409B1 公开(公告)日：2015-03-05
发明人： 진도아스미 , 이노우에가츠히로 , 가츠다유지 , 가타이기다카시 , 아마노신고 , 스기모토히로야
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
申请人地址： *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
专利权人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
当前专利权人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
当前专利权人地址： *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
代理人： 김태홍
优先权： JPJP-P-2013-052866 2013-03-15
国际申请： PCT/JP2014/055665 2014-03-05
国际公布： WO2014141974 2014-09-18
主分类号： H01L21/683
IPC分类号： H01L21/683 ; C04B35/565

摘要：

반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

摘要（中）：

半导体制造装置用部件10具有由氧化铝构成的静电卡盘20，冷却板30以及冷却板卡盘接合层40。冷却板30包括第一至第三基板31至33以及形成在第一和第二基板31和32之间的第一金属接合层34，形成在基板32和33之间的第二金属结合层35以及冷却剂通道36。第一至第三衬底31至33由含有最多碳化硅并含有硅化钛，碳化钛和碳化钛的致密复合材料形成。金属结合层34和35由第一和第二基板31和32之间以及第二和第三基板32和33之间的Al-Si-Mg基或Al-Mg基合金形成并且，在夹持第一基板31〜第二基板33的金属接合材料的状态下，各基板31〜33被热压接。

摘要（英）：

Semiconductor production apparatus members (10), the alumina of the electrostatic chuck 20, and the cooling plate 30, cooling plate - provided with the chuck joint layer 40. Cooling plate 30, first to third substrates 31 to 33, a first and a second substrate a first metal bonding layer 34 is formed between 31 and 32, and the second and third and a second bonding metal layer 35 and the coolant passage 36 formed between the substrate (32, 33). First to third substrates 31 to 33 is, most often, containing silicon carbide, titanium silicide, it is formed as a dense composite material comprising titanium carbide and silicon carbide titanium. Metal bonding layer (34, 35), the first and second substrates (31, 32) and between the second and third substrate (32, 33) on Al-Si-Mg-based or Al-Mg between the system a bonding material to the sandwiching state of the metal is formed by thermal compression bonding to each of the substrates (31 to 33).

KR1020140140112A 냉각판, 그 제조방법 및 반도체 제조 장치용 부재 公开/授权日：2014-12-08

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/67	.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
----------H01L21/683	..用于支承或夹紧的

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