基本信息:
- 专利标题： ＥＳＤ-ＥＭＩ 공통모드 반도체 필터 소자 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：ESD-EMI common mode filter device and the fabrication method
- 专利标题（中）：ESD-EMI共模滤波器件及其制造方法
- 申请号：KR1020130055007 申请日：2013-05-15
- 公开(公告)号：KR101495736B1 公开(公告)日：2015-02-25
- 发明人： 길연호 , 양현덕 , 최상식 , 최철종 , 조덕호 , 심규환
- 申请人： 전북대학교산학협력단 , 주식회사 시지트로닉스
- 申请人地址： 전라북도 전주시 덕진구 백제대로 *** (덕진동*가)
- 专利权人： 전북대학교산학협력단,주식회사 시지트로닉스
- 当前专利权人： 전북대학교산학협력단,주식회사 시지트로닉스
- 当前专利权人地址： 전라북도 전주시 덕진구 백제대로 *** (덕진동*가)
- 代理人： 특허법인리온
- 主分类号： H03H7/01
- IPC分类号： H03H7/01 ; H03H3/007
본 발명에 따르면, 반도체 필터는 최소의 크기로 집적화하여 제작되며, EMI 필터링 및 ESD에 의한 칩 손상을 방지할 수 있다.
ESD-EMI common-mode filter semiconductor device according to the present invention, in the semiconductor device filter that implements the filter circuit, and a substrate; And a plurality of TVS zener diode elements formed on the substrate; And a plurality of PIN diodes arranged to correspond to a plurality of TVS Zener diode element of the filter circuit on the substrate; Comprising an inductor passive elements formed by connecting the plurality of TVS Zener diode device and the plurality of PIN diodes to the metal wiring, the inter virtue passive element has a grounded structure to the ground element, the plurality is connected to said metal wiring forming the input and output pad to the TVS Zener diode element, the PIN diodes and that there is characterized in that for applying a drive signal to selectively filter of multi-stage filter composed of the inductor passive elements.
According to the invention, the semiconductor integrated filters are fabricated by using a minimum size, it is possible to prevent chip damage due to ESD and EMI filtering.
公开/授权文献:
- KR1020140134938A ＥＳＤ-ＥＭＩ 공통모드 반도체 필터 소자 및 그 제조방법 公开/授权日：2014-11-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H7/00 | 仅以无源电气元件作为网络部件的多端对网络 |
| --------H03H7/01 | .频率选择二端对网络 |