基本信息:
- 专利标题： 극자외선 리소그래피 방법
- 专利标题（英）：An extreme ultraviolet lithography process
- 专利标题（中）：超极紫外光刻过程
- 申请号：KR1020130050757 申请日：2013-05-06
- 公开(公告)号：KR101485669B1 公开(公告)日：2015-01-22
- 发明人： 루옌-쳉 , 유쉰-쉥 , 옌앤소니
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： US13/757,210 2013-02-01
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/20
摘要：
극자외선 리소그래피 공정이 개시된다. 본 발명 방법은 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 마스크, EUV 광원과 조명기를 수용하는 단계를 포함한다. 방법은 EUV 광원으로부터 유래하고, 3도 미만의 물체측 주 광선 입사각(chief ray angle of incidence at the object side; CRAO)으로 조명기에 의해 지향되는 광선에 의해 EUV 마스크를 노출시키는 단계를 또한 포함한다. 방법은 타겟(target)을 노출시키도록, 비회절광의 대부분을 제거하는 단계와, 투사 광학 박스(projection optics box; POB)에 의해 회절광과 제거되지 않은 비회절광을 집광하고 지향시키는 단계를 포함한다.
摘要（中）：
公开了一种极紫外光刻技术。 该方法包括接收极紫外（EUV）掩模，EUV辐射源和照明器。 该方法还包括通过来自EUV辐射源并由照明器引导的辐射暴露EUV掩模，在物体侧具有小于三度的主射线入射角（CRAO）。 该方法还包括去除大部分非衍射光并且通过投影光学盒（POB）收集和引导衍射光和未被去除的非衍射光以暴露靶。
摘要（英）：
The EUV lithography process is started. The present invention method is the extreme ultraviolet; and a step for receiving (extreme ultraviolet EUV) mask, EUV light source and the fixture. How EUV light source from stems, and 3 degrees lower than the object-side chief ray angle of incidence (chief ray angle of incidence at the object side; CRAO) a fixture in by directing that glow in by EUV mask the exposure of steps also include and. Method is targeted (target) to the step of removing, non-diffracted light most to expose, projection optics box (projection optics box; POB) includes the step of converging and directing the diffracted light and non-diffracted light that are not removed by the do.
公开/授权文献:
- KR1020140099163A 극자외선 리소그래피 방법 公开/授权日：2014-08-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |