基本信息:
- 专利标题: 레이저 스크라이빙 및 플라즈마 에칭에 의한 디바이스 싱귤레이션을 위한 인-시튜 증착된 마스크 층
- 专利标题(英):In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
- 申请号:KR1020147001125 申请日:2012-05-23
- 公开(公告)号:KR101463152B1 公开(公告)日:2014-11-20
- 发明人: 얄라만칠리,매드하바,라오 , 레이,웨이-솅 , 이튼,브래드 , 싱흐,사라브지트 , 쿠마르,아제이 , 우,반키우
- 申请人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人: 특허법인 남앤드남
- 优先权: US13/160,973 2011-06-15
- 国际申请: PCT/US2012/039207 2012-05-23
- 国际公布: WO2012173759 2012-12-20
- 主分类号: H01L21/78
- IPC分类号: H01L21/78 ; H01L21/301
Laser scribing ices plasma etching method of dicing the substrate by both are disclosed. Method, to protect the IC from the surface of the bump subsequent plasma etching, by accumulating the thickness of the plasma deposited polymer, in the plasma etching chamber, and forming the in situ mask. A second mask material, such as a water-soluble mask material may be utilized with the plasma deposited polymer. To provide a patterned mask having a trench, at least a part of the mask to the femtosecond laser scribing process, and is patterned. Is patterned, the substrate for rating the IC singulation and expose areas of the substrate between the IC is plasma etching, water-soluble material layer are removed washing.
公开/授权文献:
- KR1020140041751A 레이저 스크라이빙 및 플라즈마 에칭에 의한 디바이스 싱귤레이션을 위한 인-시튜 증착된 마스크 층 公开/授权日:2014-04-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |