基本信息:
- 专利标题： 복합 도가니, 그 제조 방법, 및 실리콘 결정의 제조 방법
- 专利标题（英）：Composite crucible, method for producing same, and method for producing silicon crystal
- 专利标题（中）：复合坩埚及其制造方法以及硅晶体的制造方法
- 申请号：KR1020127005679 申请日：2010-08-20
- 公开(公告)号：KR101457504B1 公开(公告)日：2014-11-03
- 发明人： 스도토시아키 , 요시오카타쿠마 , 키시히로시 , 후지타타케시 , 칸다미노루 , 스즈키코이치 , 키타하라켄
- 申请人： 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-*, Barajima, Akita-shi, Akita, JAPAN
- 专利权人： 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-*, Barajima, Akita-shi, Akita, JAPAN
- 代理人： 남승희
- 优先权： JPJP-P-2009-208606 2009-09-09
- 国际申请： PCT/JP2010/064056 2010-08-20
- 国际公布： WO2011030658 2011-03-17
- 主分类号： C30B15/10
- IPC分类号： C30B15/10 ; C30B29/06 ; C03B20/00
摘要：
내열강도가 높고 장시간의 인상에 사용될 수 있으며, 더욱 낮은 코스트로 제조될 수 있는 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다.
복합 도가니(10)는, 도가니의 기본재료로서 뮬라이트(3Al
2 O
3 ·2SiO
2 )를 이용하며, 산화알루미늄과 실리카를 주성분으로 하는 뮬라이트 재료로 이루어지는 도가니 본체(11)와, 도가니 본체(11)의 내표면측에 형성되는 투명 실리카 유리층(12)을 구비하고, 투명 실리카 유리층(12)의 두께는 도가니 본체(11)의 두께보다도 얇다. 도가니 본체(11)는 슬립 캐스트법에 의해 형성될 수 있고, 투명 실리카 유리층(12)은 용사법에 의해 형성될 수 있다.
摘要（英）：
복합 도가니(10)는, 도가니의 기본재료로서 뮬라이트(3Al
2 O
3 ·2SiO
2 )를 이용하며, 산화알루미늄과 실리카를 주성분으로 하는 뮬라이트 재료로 이루어지는 도가니 본체(11)와, 도가니 본체(11)의 내표면측에 형성되는 투명 실리카 유리층(12)을 구비하고, 투명 실리카 유리층(12)의 두께는 도가니 본체(11)의 두께보다도 얇다. 도가니 본체(11)는 슬립 캐스트법에 의해 형성될 수 있고, 투명 실리카 유리층(12)은 용사법에 의해 형성될 수 있다.
Heat resistant steel also can be used in a high pulling for a long time, and provides a more crucible at low cost can be produced and a method of manufacturing the same.
And composite crucible 10, mullite
(3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ) for use and a crucible made of a mullite material mainly composed of aluminum and silica oxide body 11 as the base material of the crucible, the crucible body 11, the inner surface and a transparent silica glass layer 12 formed on the side, the thickness of the transparent silica glass layer 12 is thinner than the thickness of the crucible main body 11. A crucible main body 11 may be formed by a slip cast method, a transparent silica glass layer 12 may be formed by a spraying method.
公开/授权文献:
- KR1020120055592A 복합 도가니, 그 제조 방법, 및 실리콘 결정의 제조 방법 公开/授权日：2012-05-31