基本信息:
- 专利标题： 자기 센서 제조
- 专利标题（英）：Magnetic sensor manufacturing
- 专利标题（中）：磁传感器制造
- 申请号：KR1020130026714 申请日：2013-03-13
- 公开(公告)号：KR101456995B1 公开(公告)日：2014-10-31
- 发明人： 헤,칭 , 정,원준 , 코빙턴,윌리엄마크 , 키프,토마스마크 , 첸,용후아
- 申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 申请人地址： ***** South De Anza Boulevard, Cupertino, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 当前专利权人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
- 当前专利权人地址： ***** South De Anza Boulevard, Cupertino, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US13/419,728 2012-03-14
- 主分类号： G01R33/09
- IPC分类号： G01R33/09 ; G01R33/00
摘要：
자기 센서는 제 1 실드 및 제 2 실드 및 제 1 및 제 2 실드 사이의 센서 스택을 포함하고, 센서 스택은 복수의 층들을 갖고, 여기서 적어도 하나의 층은 인-시츄 급속 열 어닐링을 사용하여 어닐링된다. 자기 센서의 일 구현에서, 시드층은 인-시츄 급속 열 어닐링을 사용하여 어닐링된다. 대안적으로, 배리어 층, AFM 층 및 캡 층 중 하나는 인-시츄 급속 열 어닐링을 사용하여 어닐링된다.
摘要（英）：
The magnetic sensor includes a first shield and the second shield and the first and the second includes a sensor stack between the shield and the sensor stack having a plurality of layers, wherein at least one layer is in-situ annealed rapidly using thermal annealing do. In one embodiment of the magnetic sensor, a seed layer is in-situ annealed using a rapid thermal annealing. Alternatively, the barrier layer, one of the AFM layer and the cap layer is in-situ annealed by rapid thermal annealing using.
公开/授权文献:
- KR1020130105487A 자기 센서 제조 公开/授权日：2013-09-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R33/00 | 测量磁变量的装置或仪器 |
| --------G01R33/02 | .测量磁场或磁通量的方向或大小 |
| ----------G01R33/04 | ..应用磁通控制原理 |
| ------------G01R33/09 | ...磁电阻器件 |