专利号KR1020137012433 | 반도체 소자, 반도체 장치 및 반도체 소자의 제조 방법

专利标题： 반도체 소자, 반도체 장치 및 반도체 소자의 제조 방법
专利标题（英）：Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element
专利标题（中）：半导体元件，半导体器件及制造半导体元件的方法
申请号：KR1020137012433 申请日：2011-04-18
公开(公告)号：KR101444629B1 公开(公告)日：2014-09-26
发明人： 오츠겐지 , 구스노키다쿠 , 야마다아키라 , 구로이와다케하루 , 다루타니마사요시
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
当前专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
代理人： 제일특허법인
优先权： JPJP-P-2010-255802 2010-11-16
国际申请： PCT/JP2011/059511 2011-04-18
国际公布： WO2012066803 2012-05-24
主分类号： H01L21/52
IPC分类号： H01L21/52 ; H01L21/28

摘要：

반도체 소자가 고온, 특히 175℃ 이상에서 동작한 경우에도, 반도체 소자와 금속 나노 입자 소결층이, 충분히 장시간 안정되게 밀착할 수 있는 전극을 갖는 반도체 소자를 얻는 것을 목적으로 하고 있다. 반도체 소자 구조부의 적어도 한쪽 면 측에 형성되며, Ni를 포함하는 Ni 함유 금속층(4)과, Ni 함유 금속층(4)에 있어서의 반도체 소자 구조부와 반대측보다 외측에 형성된 Ni 배리어 금속층(5)과, Ni 배리어 금속층(5)에 있어서의 반도체 소자 구조부와 반대측보다 외측에 형성되며, 금속 나노 입자 소결층(9)에 접속되는 표면 금속층(6)을 구비한 전극을 갖고, Ni 배리어 금속층(5)은, Ni가 표면 금속층(6)으로 확산하는 것을 저감시키는 금속을 포함한 것이다.

摘要（英）：

Even when it is operating in a high-temperature semiconductor devices, in particular more than 175 ℃, the semiconductor element and the metal nanoparticle sintered layer, and for the purpose of obtaining a semiconductor device having an electrode which can be close enough for a long time stable. Is formed on at least one surface of the semiconductor element structure side, and Ni-containing metal layer (4) and, Ni-containing metal layer (4) semiconductor device structure and the Ni barrier metal layer formed on the outer side than the opposite side (5) of the containing Ni, is formed on an outer side than the semiconductor device structure and the opposite side in the Ni barrier metal layer (5), it has an electrode provided with a surface metal layer (6) which is connected to the metal nanoparticle sintered layer (9), Ni barrier metal layer 5 is , and including a metal of Ni is reduced to diffuse into the surface of the metal layer (6).

KR1020130060371A 반도체 소자, 반도체 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 公开/授权日：2013-06-07

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
--------------H01L21/52	....半导体在容器中的安装

发明授权 KR101444629B1 반도체 소자, 반도체 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 有权

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