基本信息:
- 专利标题: 불연속적인 얇은 반도체 웨이퍼 표면 피처들
- 专利标题(英):Discontinuous thin semiconductor wafer surface features
- 专利标题(中):不连续的半导体波长表面特征
- 申请号:KR1020117029193 申请日:2010-05-07
- 公开(公告)号:KR101431890B1 公开(公告)日:2014-08-26
- 发明人: 찬드라세카란아르빈드
- 申请人: 퀄컴 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, USA
- 专利权人: 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人: 퀄컴 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Morehouse Drive, San Diego, CA *****-****, USA
- 代理人: 특허법인코리아나
- 优先权: US12/437,111 2009-05-07
- 国际申请: PCT/US2010/034102 2010-05-07
- 国际公布: WO2010129908 2010-11-11
- 主分类号: H01L21/302
- IPC分类号: H01L21/302
摘要:
반도체 웨이퍼는 반도체 기판과 상기 반도체 기판상의 막들을 갖는다. 반도체 기판 및/또는 막들은 반도체 웨이퍼에서의 잔류 응력을 감소시키는 불연속면을 생성하는 적어도 하나의 에칭 라인을 갖는다. 반도체 웨이퍼에서의 잔류 응력을 감소시키는 것은 웨이퍼가 박형화될 때 웨이퍼의 휘어짐을 감소시킨다. 추가적으로, 층들의 단락을 방지하기 위해 에칭 라인들의 일부분을 채우는데에 격리 플러그가 이용될 수도 있다.
摘要(英):
The semiconductor wafer has a semiconductor substrate and a film on the semiconductor substrate. Semiconductor substrate and / or films having at least one of the etching lines to create a discontinuous surface to decrease the residual stress in the semiconductor wafer. Reducing the residual stress in the semiconductor wafer to reduce the warpage of the wafer when the wafer is thinned. Additionally, it is to fill in a portion of the etching lines are isolated plug may be used to prevent a short circuit of the layers.
公开/授权文献:
- KR1020120014026A 불연속적인 얇은 반도체 웨이퍼 표면 피처들 公开/授权日:2012-02-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |