基本信息:
- 专利标题: 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트
- 专利标题(英):Method for tranferring metal oxide/nitride/sulfide thin film and transfer sheet used therefor
- 专利标题(中):用于转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜的方法及其使用的转移片
- 申请号:KR1020120048247 申请日:2012-05-07
- 公开(公告)号:KR101431595B1 公开(公告)日:2014-08-22
- 发明人: 이선숙 , 정대성 , 이영국 , 안기석 , 김성준 , 강성구
- 申请人: 한국화학연구원
- 申请人地址: ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 专利权人: 한국화학연구원
- 当前专利权人: 한국화학연구원
- 当前专利权人地址: ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 代理人: 제일특허법인
- 主分类号: G02F1/1368
- IPC分类号: G02F1/1368 ; H01L51/50 ; H01L29/786
摘要:
기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
摘要(英):
Transfer sheet to form a metal oxide / nitride / sulfide thin film on a substrate and obtained by removing the substrate after the formation of the polymeric support layer is a metallic oxide / nitride / sulfide thin film by removing a rear polymeric support layer adhered to the other substrate desired a may be useful for transferring, in a metal oxide / nitride / sulfide thin film transferred in this manner can be formed with the desired thickness, well it can be more easily in the manufacture of various electronic devices using the pin electrodes or the like.
公开/授权文献:
- KR1020130124820A 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 公开/授权日:2013-11-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
G | 物理 |
--G02 | 光学 |
----G02F | 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器 |
------G02F1/00 | 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学 |
--------G02F1/01 | .对强度、相位、偏振或颜色的控制 |
----------G02F1/09 | ..基于磁—光元件的,例如,呈现法拉第效应的 |
------------G02F1/133 | ...构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置 |
--------------G02F1/136 | ....结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元 |
----------------G02F1/1362 | .....有源矩阵寻址单元 |
------------------G02F1/1368 | ......其中开关元件为三电极装置 |