基本信息:
- 专利标题: 질화갈륨 결정, 13족 질화물 결정, 결정 기판, 및 이들의 제조 방법
- 专利标题(英):Gallium nitride crystal, crystal of group 13 element nitride, crystal substrate and method for producing same
- 专利标题(中):氮化钠晶体,第13组元素氮化物的晶体,晶体基板及其制造方法
- 申请号:KR1020127023715 申请日:2011-03-14
- 公开(公告)号:KR101428899B1 公开(公告)日:2014-08-08
- 发明人: 남부히로시 , 이와타히로카즈 , 사토다카시
- 申请人: 가부시키가이샤 리코
- 申请人地址: 일본 도쿄도 오다꾸 나가마고메 *쵸메 *-*
- 专利权人: 가부시키가이샤 리코
- 当前专利权人: 가부시키가이샤 리코
- 当前专利权人地址: 일본 도쿄도 오다꾸 나가마고메 *쵸메 *-*
- 代理人: 송승필
- 优先权: JPJP-P-2010-058276 2010-03-15; JPJP-P-2011-031397 2011-02-16
- 国际申请: PCT/JP2011/055964 2011-03-14
- 国际公布: WO2011115072 2011-09-22
- 主分类号: C30B29/38
- IPC分类号: C30B29/38 ; C30B9/00 ; C30B19/12
摘要:
실용적인 사이즈의 결정 기판을 잘라낼 수 있는 대형의 벌크 결정을 제조한다. 질화갈륨 결정은, c축의 길이(L)가 9 ㎜ 이상이며, c축과 수직인 단면의 결정 직경(d)이 100 ㎛ 이상이고, c축의 길이(L)와, c축과 수직인 단면의 결정 직경(d)의 비(L/d)가 7 이상인 것을 특징으로 한다. 이 장척의 바늘형 결정을 비대화시킴으로써 체적이 큰 벌크 결정을 제조하는 것이 가능해져, 실용적인 사이즈의 결정 기판을 잘라낼 수 있는 대형의 벌크 결정을 제조할 수 있다.
摘要(英):
To prepare a large bulk crystal that can cut a crystal substrate of a practical size. Crystal gallium nitride is, c-axis length (L) that is at least 9 ㎜, crystal diameter (d) of a cross-section perpendicular to the c-axis is more than 100 ㎛, and c-axis length (L), of a cross-section perpendicular to the c-axis It characterized by determining the diameter (d) ratio (L / d) of not less than 7. Becomes to the volume by a needle-like crystals of the non long manufacturing a large bulk crystal is possible, it can be produced in a large bulk crystal that can cut a crystal substrate of a practical size.
公开/授权文献:
- KR1020120127489A 질화갈륨 결정, 13족 질화물 결정, 결정 기판, 및 이들의 제조 방법 公开/授权日:2012-11-21