基本信息:
- 专利标题： 미세 패턴필름 제조장치 및 미세 패턴필름 제조방법
- 专利标题（英）：Apparatus for manufacturing film used micro size pattern and method using the same
- 专利标题（中）：用于制造薄膜的装置使用微尺寸图案及其使用方法
- 申请号：KR1020120150451 申请日：2012-12-21
- 公开(公告)号：KR101426463B1 公开(公告)日：2014-08-06
- 发明人： 김은성
- 申请人： (주) 에이와케이
- 申请人地址： 충청북도 청원군 옥산면 남촌리 ****-**번지
- 专利权人： (주) 에이와케이
- 当前专利权人： (주) 에이와케이
- 当前专利权人地址： 충청북도 청원군 옥산면 남촌리 ****-**번지
- 代理人： 특허법인유아이피
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 수지가 도포된 베이스필름 위에 패턴 몰드로 각인된 미세 패턴 상에 봉합필름을 부착하고 경화시킨 후 필름판 형태로 절단하여 제조하는 임프린팅 장치와, 절단된 필름판을 불투명수지 액에 침전시켜 필름판의 미세 공간에 불투명수지가 충전되도록 하는 불투명수지 충전장치와, 불투명수지가 충전된 필름판을 수냉용 받침대 위에서 UV광원으로 경화시키는 불투명수지 경화장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention fine pattern film production apparatus and a fine pattern film relates to the manufacturing method, the imprinting step to the through precipitating a film plate sealing an engraved micro pattern as stitching film in an opaque resin solution opaque fine space of the film board resin by filling and curing the transparent resin in since the UV light source to be for the purpose of producing a fine pattern to the film surface quality improved.
The invention and imprinting device for producing the after attaching a suture film onto the fine pattern imprinted pattern mold on the base film, the resin is applied and cured cut to a film sheet form, the cut film sheet for achieving this purpose a and the non-transparent resin filling device whereby to precipitate the non-transparent resin liquid is non-transparent resin filled in the fine space of the film plate, comprises a non-transparent resin curing device for non-transparent resin is cured the charged film plate in the UV light source from above the stand for a water-cooled It characterized.
公开/授权文献:
- KR1020140081975A 미세 패턴필름 제조장치 및 미세 패턴필름 제조방법 公开/授权日：2014-07-02
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |