基本信息:
- 专利标题： 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물 및 스퍼터링 타깃, 및 박막 트랜지스터
- 专利标题（英）：Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
- 专利标题（中）：薄膜晶体管，溅射靶和薄膜晶体管半导体层的氧化物
- 申请号：KR1020127029973 申请日：2011-04-18
- 公开(公告)号：KR101407402B1 公开(公告)日：2014-06-13
- 发明人： 미키아야 , 이와나리유미 , 쿠기미야토시히로 , 모리타신야 , 테라오야스아키 , 야스노사토시 , 박재우 , 이제훈 , 안병두
- 申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 가부시키 가이샤 고베세이코쇼
- 申请人地址： 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 专利权人： 삼성디스플레이 주식회사,가부시키 가이샤 고베세이코쇼
- 当前专利权人： 삼성디스플레이 주식회사,가부시키 가이샤 고베세이코쇼
- 当前专利权人地址： 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 代理人： 팬코리아특허법인
- 优先权： JPJP-P-2010-097350 2010-04-20; JPJP-P-2010-156232 2010-07-08; JPJP-P-2011-008324 2011-01-18
- 国际申请： PCT/JP2011/059554 2011-04-18
- 国际公布： WO2011132644 2011-10-27
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/363
摘要：
박막 트랜지스터의 스위칭 특성이 우수하며, 특히 ZnO 농도가 높은 영역이라도, 또한 보호막 형성 후 및 스트레스 인가 후에도 양호한 특성을 안정적으로 얻을 수 있는 박막 트랜지스터 반도체층용 산화물을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물은, 박막 트랜지스터의 반도체층에 사용되는 산화물로서, 상기 산화물은, Zn 및 Sn을 포함하고, Al, Hf, Ta, Ti, Nb, Mg, Ga, 및 희토류 원소로 이루어지는 X군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 더 포함하고 있다.
摘要（英）：
The switching characteristics of the thin film transistor excellent and, even if a high area, in particular ZnO concentrations also after forming the protective film, and stress applied after providing the thin film transistor semiconductor oxide layer to obtain the good properties stably. The semiconductor layer is an oxide of the thin film transistor according to the invention is an oxide that is used for the semiconductor layer of the thin-film transistor, the oxide, including Zn and Sn and, Al, Hf, Ta, Ti, Nb, Mg, Ga, and rare earth elements further includes at least one element X selected from the group consisting of.
公开/授权文献:
- KR1020130018300A 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물 및 스퍼터링 타깃, 및 박막 트랜지스터 公开/授权日：2013-02-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |