基本信息:
- 专利标题： 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Thin film transistor and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）：薄膜晶体管及其制造方法
- 申请号：KR1020100006881 申请日：2010-01-26
- 公开(公告)号：KR101400919B1 公开(公告)日：2014-05-30
- 发明人： 김재호 , 오동건
- 申请人： 주성엔지니어링(주)
- 申请人地址： ***, Opo-ro, Opo-eup, Gwangju-si, Gyeonggi-do, (***-***), Republic of Korea
- 专利权人： 주성엔지니어링(주)
- 当前专利权人： 주성엔지니어링(주)
- 当前专利权人地址： ***, Opo-ro, Opo-eup, Gwangju-si, Gyeonggi-do, (***-***), Republic of Korea
- 代理人： 남승희
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
본 발명은 반도체 적층 구조, 그 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 적층 구조는 기판 상에 서로 다른 결정 구조를 가지는 적어도 두 개의 층이 적층되어 형성되며, 적어도 하나는 비정질 ZnO막이고, 적어도 다른 하나는 결정질 ZnO막을 포함하고, 이를 박막 트랜지스터의 활성층에 이용한다.
摘要（英）：
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 적층 구조는 기판 상에 서로 다른 결정 구조를 가지는 적어도 두 개의 층이 적층되어 형성되며, 적어도 하나는 비정질 ZnO막이고, 적어도 다른 하나는 결정질 ZnO막을 포함하고, 이를 박막 트랜지스터의 활성층에 이용한다.
The present invention relates to a semiconductor laminated structure, a manufacturing method and a thin film transistor using the same.
A semiconductor stacked structure according to an embodiment of the present invention is formed by stacking at least two layers having a different crystal structure on a substrate, at least one is an amorphous ZnO film, at least the other is a thin film which comprises a crystalline ZnO, and It is used in the active layer of the transistor.
公开/授权文献:
- KR1020110087457A 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 公开/授权日：2011-08-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |