基本信息:
- 专利标题： 와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법
- 专利标题（英）：Resonant structure comprising wire, resonant tunneling transistor, and method for fabricating the resonant structure
- 专利标题（中）：共振结构，包括线，谐振隧道晶体管，以及制造谐振结构的方法
- 申请号：KR1020080007186 申请日：2008-01-23
- 公开(公告)号：KR101400238B1 公开(公告)日：2014-05-29
- 发明人： 박윤권 , 황성우 , 신제식 , 하병주 , 이재성 , 송인상 , 김용규 , 주병권 , 김희태
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,고려대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,고려대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 정홍식
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; B82Y40/00
摘要：
공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다.
공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어
摘要（英）：
공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어
The resonant structure is disclosed. The resonator structure, the first terminal, the first terminal and the counter of the second terminal, is disposed the first end and the second wire portion, the wire portion and a distance connecting between the terminals spaced apart arrangement, the wire portion It is formed on the third terminal and the wire part of the resonance, and includes a potential barrier to provide a negative resistance component. Accordingly, it is possible to increase the production efficiency of transport. Resonator structure, the wire part, the potential barrier
公开/授权文献:
- KR1020090081218A 와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법 公开/授权日：2009-07-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |