基本信息:
- 专利标题： 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
- 专利标题（英）：Composition for formation of upper layer film, and method for formation of photoresist pattern
- 专利标题（中）：用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法
- 申请号：KR1020117029036 申请日：2007-10-11
- 公开(公告)号：KR101365275B1 公开(公告)日：2014-02-26
- 发明人： 니시무라,유끼오 , 스기에,노리히꼬 , 나까시마,히로미쯔 , 나쯔메,노리히로 , 고노,다이따
- 申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 申请人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 김성완; 이석재
- 优先权： JPJP-P-2006-279490 2006-10-13; JPJP-P-2007-023574 2007-02-01
- 国际申请： PCT/JP2007/069858 2007-10-11
- 国际公布： WO2008047678 2008-04-24
- 主分类号： G03F7/11
- IPC分类号： G03F7/11 ; G03F7/004
摘要：
본 발명은 충분히 높은 후퇴 접촉각을 갖는 상층막을 형성 가능하고, 포토레지스트막의 표면 상에 상층막을 형성하기 위해 이용되는 상층막 형성용 조성물이며, 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (A)와, 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (B)를 포함하는 상층막 형성용 조성물에 관한 것이다.
상기 화학식 1a, 1b 중, R
1 은 수소 등을, R
2 는 단결합 등을, R
3 은 불소 치환된 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 등을 나타낸다.
摘要（英）：
상기 화학식 1a, 1b 중, R
1 은 수소 등을, R
2 는 단결합 등을, R
3 은 불소 치환된 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 등을 나타낸다.
The present invention can form the upper layer film having a sufficiently high receding contact angle, and the photoresist film and the upper layer film forming composition used to form a top layer on the surface, a repeating unit of the formula 1b to contain repeating units of the formula 1a to, with the resin (a) containing no to contain repeating units of the formula 1b relates to a composition for the upper layer film comprising a resin (B) does not contain a repeating unit of the general formula 1a.
<Formula 1a>
<Formula 1b>
In the formula 1a, 1b, R
1 represents a hydrogen, etc., R
2 is a single bond, etc., R
3 is C 1 -C 12 straight or branched alkyl group such as a fluorine-substituted.
公开/授权文献:
- KR1020120006566A 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 公开/授权日：2012-01-18