박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서

专利标题： 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서
专利标题（英）：Thin film transistor, method of producing the same, electrooptic apparatus, and sensor
专利标题（中）：薄膜晶体管，其制造方法，电子装置和传感器
申请号：KR1020100055305 申请日：2010-06-11
公开(公告)号：KR101338099B1 公开(公告)日：2013-12-06
发明人： 타나카아츠시 , 하마타케시 , 스즈키마사유키
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
代理人： 하영욱
优先权： JPJP-P-2009-140426 2009-06-11
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786

摘要：

(과제) 온 전류가 높고, 특성 시프트가 저감된 박막 트랜지스터를 제공한다.
(해결 수단) 기판 상에 활성층으로서의 In, Ga 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막과 게이트 전극과 게이트 절연막과 소스 전극과 드레인 전극을 갖고, 상기 산화물 반도체막의 몰비[In:Ga:Zn]를 2.0-x:x:y(단, 0.0

摘要（英）：

(Problem) with high on-current, and provides a thin film transistor characteristics shift is reduced.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] has the oxide semiconductor film and the gate electrode and the gate insulating layer and source and drain electrodes including an active layer as In, Ga and Zn on a substrate, the molar ratio of the oxide semiconductor film [In: Ga: Zn] to 2.0 x: x: y (stage, 0.0 <x <2.0, 0.0 <y) when nd represented by a, and the oxide semiconductor film is distant from the side of the film surface and the substrate close to the substrate according to distribution of the y about the thickness direction the film than cotton wherein y is greater area of the side there.

KR1020100133314A 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서 公开/授权日：2010-12-21

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
------------------H01L29/786	......薄膜晶体管

发明授权 KR101338099B1 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서 有权

基本信息:

公开/授权文献:

信息查询:

IPC结构图谱:

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式