基本信息:
- 专利标题： 반도체 발광소자
- 专利标题（英）：Semiconductor light emitting device
- 申请号：KR1020110087248 申请日：2011-08-30
- 公开(公告)号：KR101335945B1 公开(公告)日：2013-12-04
- 发明人： 성한규 , 정훈재 , 이규철 , 홍영준 , 이철호 , 박준범
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,서울대학교산학협력단
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,서울대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/22
摘要：
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 두께와 인듐(In)의 함량이 다른 결정면들을 갖는 활성층 및 박막 형태의 도전형 반도체층으로 인해 인가되는 전압에 따라 상기 결정면들에서 발생되는 발광 파장이 연속적으로 변하며, 형광체 없이 백색광을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 측에 따른 반도체 발광소자는, 마이크로 또는 나노 구조물인 코어부 상에 활성층을 형성함으로써 발광 면적을 확대할 수 있다.
摘要（英）：
Semiconductor light-emitting device according to an embodiment of the present invention is generated in the crystal plane in accordance with the voltage to be applied because of the thickness and the indium of the active layer and a thin film type content having different crystal face of (In) conductivity type semiconductor layer emission wavelength changed into a continuous phosphor it can provide a white light without. Further, the semiconductor light emitting device according to the present invention, one side of the active layer formed on the core portion of, micro-or nano-structures for light-emitting area can be enlarged.
公开/授权文献:
- KR1020130024052A 반도체 발광소자 公开/授权日：2013-03-08