基本信息:
- 专利标题： 전력 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Power semiconductor device and fabricating method thereof
- 专利标题（中）：功率半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020120006251 申请日：2012-01-19
- 公开(公告)号：KR101311538B1 公开(公告)日：2013-09-25
- 发明人： 김원찬 , 진영민
- 申请人： 주식회사 케이이씨
- 申请人地址： 서울특별시 서초구 마방로**길 * (양재동)
- 专利权人： 주식회사 케이이씨
- 当前专利权人： 주식회사 케이이씨
- 当前专利权人地址： 서울특별시 서초구 마방로**길 * (양재동)
- 代理人： 서만규; 서경민
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
이를 위해 본 발명은 다수의 트렌치가 형성된 제1도전형 드리프트층; 상기 트렌치에 게이트 산화막이 개재되어 형성된 게이트 영역; 상기 트렌치의 일측으로서 상기 드리프트층에 형성된 제2도전형 웰 영역 및 제1도전형 에미터 영역; 그리고, 상기 트렌치의 타측으로서 상기 드리프트층에 형성된 제2도전형 가드 영역을 포함하고, 상기 가드 영역과 상기 드리프트층의 정션 영역은 평평하게 형성된 전력 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
One embodiment of the invention relates to a power semiconductor device and its manufacturing method, a technical problem to be solved is the gate-collector (or drain) and / or the gate-emitter (or source) to reduce the capacity and the conductive loss that there is provided a power semiconductor device and its manufacturing method.
A first conductive type drift layer formed of the present invention is a plurality of trenches for this purpose; A gate region having a gate oxide film interposed in the trench; A second conductivity-type well region and the first conductivity type emitter region formed in the drift layer as one side of the trench; Further, the guard comprises a second conductivity type region formed in the drift layer as the other side of the trench, the junction region of the guard region and the drift layer provides a flat power semiconductor device and a method for manufacturing formed.
公开/授权文献:
- KR1020130085236A 전력 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 公开/授权日：2013-07-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |