基本信息:
- 专利标题： 실리콘 카바이드 함유 표면의 화학적 기계적 연마 방법
- 专利标题（英）：Chemical Mechanical Polishing of Silicon Carbide Comprising Surfaces
- 专利标题（中）：包含表面的碳化硅的化学机械抛光
- 申请号：KR1020117027033 申请日：2010-04-13
- 公开(公告)号：KR101307267B1 公开(公告)日：2013-09-26
- 发明人： 싱하,라지브,케이. , 아르주난,아룰,차카라바티 , 다스,디바카르 , 싱하,디피카 , 미쉬라,아부다야 , 자야라만,탄조레,비.
- 申请人： 신메트, 잉크 , 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.
- 申请人地址： **** NW **th Place, Gainesville, Florida ***** U.S.A
- 专利权人： 신메트, 잉크,유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.
- 当前专利权人： 신메트, 잉크,유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.
- 当前专利权人地址： **** NW **th Place, Gainesville, Florida ***** U.S.A
- 代理人： 특허법인명인
- 优先权： US12/422,771 2009-04-13
- 国际申请： PCT/US2010/030898 2010-04-13
- 国际公布： WO2010120784 2010-10-21
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
슬러리를 사용하여 실리콘 카바이드 표면을 구비하는 기판을 연마하기 위하여 화학적으로 활성화된 CMP 방법과 슬러리 조성물이 제공된다. 이러한 방법에서, 실리콘 카바이드 표면은 CMP 슬러리 조성물과 접촉되며, CMP 슬러리 조성물은 i) 액체 캐리어 ii) 적어도 소프트 표면 영역을 가지는 복수의 입자를 포함하며, 선택적으로 산화제를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 소프트 표면 영역은 6 이하의 모스 경도를 제공하는 전이금속 화합물을 포함한다. 산화제는 전이금속을 포함할 수 있다. 슬러리는 상기 실리콘 카바이드 함유 표면에 상대적으로 이동되며, 상기 실리콘 카바이드 함유 표면의 적어도 일 부분은 제거된다.
摘要（英）：
The chemically activated CMP slurry compositions and methods for using a slurry to polish a substrate having a silicon carbide surface are provided. In this method, the surface of the silicon carbide is in contact with the CMP slurry composition, the CMP slurry composition, and i) a plurality of particles having a liquid carrier ii) at least a soft-surface area, it may optionally include an oxidizing agent. Here, the soft surface region comprises a transition metal compound to provide a Mohs hardness of 6 or less. The oxidant may also include a transition metal. The slurry is moved relative to the surface containing said silicon carbide, at least a portion of the silicon carbide-containing surface is removed.
公开/授权文献:
- KR1020120037372A 실리콘 카바이드 함유 표면의 화학적 기계적 연마 방법 公开/授权日：2012-04-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |