基本信息:
- 专利标题: 도전 재료, 도전 페이스트, 회로 기판 및 반도체 장치
- 专利标题(英):Conductive material, conductive paste, circuit board, and semiconductor device
- 专利标题(中):导电材料,导电胶,电路板和半导体器件
- 申请号:KR1020107019507 申请日:2008-03-07
- 公开(公告)号:KR101300384B1 公开(公告)日:2013-08-26
- 发明人: 사쿠야마세이키 , 사카이다이지
- 申请人: 후지쯔 가부시끼가이샤
- 申请人地址: 일본국 가나가와켄 가와사키시 나카하라꾸 가미고다나카 *초메 *-*
- 专利权人: 후지쯔 가부시끼가이샤
- 当前专利权人: 후지쯔 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址: 일본국 가나가와켄 가와사키시 나카하라꾸 가미고다나카 *초메 *-*
- 代理人: 강승옥; 송승필
- 国际申请: PCT/JP2008/054162 2008-03-07
- 国际公布: WO2009110095 2009-09-11
- 主分类号: H01B1/02
- IPC分类号: H01B1/02 ; H01B1/22 ; H01B5/14 ; H01L23/12
摘要:
도전 재료(10)는, 제1 금속을 주성분으로 하는 제1 금속부(11)와, 상기 제1 금속의 융점보다도 낮은 융점을 가지며, 상기 제1 금속과 금속간 화합물을 형성할 수 있는 제2 금속을 주성분으로 하고, 상기 제1 금속부의 표면에 형성된 제2 금속부(12)와, 상기 제2 금속과 공정 반응(eutectic reaction)을 발생시킬 수 있는 제3 금속을 주성분으로 하는 제3 금속부(13)를 갖는다.
摘要(英):
The conductive material 10 has a first and a first metal portion (11) whose primary component is a metal, the first having a melting point lower than the melting point of the metal, wherein the first agent capable of forming a metal and the intermetallic compound 2 as a main component a metal and the third metal portion composed mainly of the third metal and the second metal portion 12 so formed on the first metal part surface, can result in the second metal and the eutectic reaction (eutectic reaction) It has a 13.
公开/授权文献:
- KR1020100110889A 도전 재료, 도전 페이스트, 회로 기판 및 반도체 장치 公开/授权日:2010-10-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01B | 电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择 |
------H01B1/00 | 按导电材料特性区分的导体或导电物体;用作导体的材料选择 |
--------H01B1/02 | .主要由金属或合金组成的 |