基本信息:
- 专利标题： 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자
- 专利标题（英）：Manufacturing method for flexible memory device and flexible memory device manufactured by the same
- 专利标题（中）：柔性存储器件的制造方法和由其制造的柔性存储器件
- 申请号：KR1020110088045 申请日：2011-08-31
- 公开(公告)号：KR101290003B1 公开(公告)日：2013-07-31
- 发明人： 이건재 , 김승준
- 申请人： 한국과학기술원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
- 专利权人： 한국과학기술원
- 当前专利权人： 한국과학기술원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
- 代理人： 특허법인 다해
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L21/8242
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 플렉서블 기판에 고성능 다결정 또는 단결정 실리콘 스위칭 소자를 제조하는 단계; 및 상기 제조된 스위칭 소자를 포함하는 메모리 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 고성능 실리콘 소자를 스위칭으로 활용하여, 플렉서블한 형태의 다양한 메모리 소자를 제조할 수 있다. 특히 본 발명에 따르면 하나의 스위칭 소자와 하나의 메모리 구조를 통하여 메모리 어레이를 플렉서블 기판 상에 구현시킬 수 있으며, 더 나아가 RRAM, PRAM, DRAM,의 경우, 고성능 플렉서블 실리콘 트랜지스터가 비정형 TiO
2 (α-TiO
2 ) 기반 쌍극자 저항 메모리, GST 상변화 메모리, ZrO
2 캐패시터 메모리 요소등과 집적되어, 메모리의 논리 상태를 제어할 수 있다.
A flexible memory device manufacturing method and thus the memory device manufactured by a flexible is provided.
According to one embodiment of the invention, the method for manufacturing a high-performance polycrystalline silicon or single-crystal switching element on the flexible substrate; And and it characterized in that it comprises the steps of manufacturing a memory device containing the prepared switching element, according to the present invention, by utilizing high performance silicon element to the switching, it is possible to manufacture a variety of memory devices of a flexible type. In particular, the memory array can be implemented on a flexible substrate via one of the switching elements and one of the memory structure according to the present invention, further RRAM, when a PRAM, DRAM,, the flexible high-performance silicon transistor amorphous TiO
2 (α- TiO
2) based on the dipole-resistance memory, GST phase change is integrated with the memory, the memory element such as a capacitor ZrO
2, it is possible to control the logic state of the memory.
公开/授权文献:
- KR1020130025010A 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자 公开/授权日：2013-03-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |
| --------------------------H01L21/8247 | ..........电可编程序的 |