基本信息:
- 专利标题： 실리콘 관통 플러그에 의한 열 방산
- 专利标题（英）：Heat dissipation by through silicon plugs
- 专利标题（中）：通过硅胶片散热
- 申请号：KR1020110021122 申请日：2011-03-09
- 公开(公告)号：KR101271374B1 公开(公告)日：2013-06-07
- 发明人： 유첸화 , 장헝핀 , 린영치 , 유치아린 , 헝주이핀 , 황치엔링
- 申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： No. *, Li-Hsin Road *, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan
- 代理人： 신정건; 김태홍
- 优先权： US12/879,584 2010-09-10; US61/320,819 2010-04-05
- 主分类号： H01L23/34
- IPC分类号： H01L23/34 ; H01L23/12
摘要：
상기 설명한 실리콘 관통 플러그(또는 비아)를 갖춘 패키지 기판은 열 관리를 필요로 하는 반도체 칩에 대한 횡방향 및 종방향 열 방산 통로를 제공한다. 높은 듀티비를 갖는 실리콘 관통 플러그(TSP;through silicon plugs)는 가장 효과적으로 열을 방산시킬 수 있다. 이중 양면 콤의 패턴을 갖는 TSP 디자인은 50%와 같거나 이보다 큰, 높은 듀티비를 제공할 수 있다. 높은 듀티비를 갖는 패키지 기판은 대량의 열을 발생시키는 반도체 칩에 유용하다. 이러한 반도체 칩의 예는 발광 다이오드(LED;light emitting diode) 칩이 있다.
摘要（英）：
The above-described package substrate with a silicon plug through (or vias) provides transverse and longitudinal heat dissipation path for the semiconductor chips which require a thermal management. A silicon plug through with a high duty ratio (TSP; through silicon plugs) is able to dissipate the heat effectively. TSP design having a pattern of the double-sided comb can provide a large, high duty ratio equal to 50% or higher. A package substrate having a high duty ratio is useful in a semiconductor chip that generates a large amount of heat. An example of such a semiconductor chip is a light emitting diode; there are (LED light emitting diode) chip.
公开/授权文献:
- KR1020110112197A 실리콘 관통 플러그에 의한 열 방산 公开/授权日：2011-10-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |