基本信息:
- 专利标题： 고전압 바이폴라-ＣＭＯＳ-ＤＭＯＳ 집적회로 디바이스와 이를 형성하는 모듈러 방법
- 专利标题（英）：Modular method of forming this, as a high voltage bipolar integrated circuit device -cmos-dmos
- 申请号：KR1020127033560 申请日：2007-05-30
- 公开(公告)号：KR101267770B1 公开(公告)日：2013-05-27
- 发明人： 윌리엄스리차드케이. , 디즈니도날드레이 , 첸준-웨이 , 찬와이티엔 , 류형식
- 申请人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 申请人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기; 정은진
- 优先权： US11/443,745 2006-05-31
- 国际申请： PCT/US2007/012686 2007-05-30
- 国际公布： WO2007142937 2007-12-13
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
에피택셜층을포함하지않는기판에다양한반도체디바이스를제조하기위해아주저온의프로세스가사용된다. 상기디바이스는비-절연수평 D-MOS. 비-절연확장드레인또는드리프트 MOS 디바이스, 수평트렌치 DMOS, 절연수평 DMOS, JFET 및공핍-모드디바이스, 및 P-N 다이오드클램프및 정류기와접합종단을포함한다. 상기프로세스는고온프로세스의필요를제거하고 "주입된대로(as-implanted)" 불순물프로파일을을 사용하기때문에, 상기나머지요소들을생성하기위해사용된프로세스를변경할필요없이 IC에디바이스를부가하거나생략하는것을허용하는모듈러아키텍처를구성한다.
摘要（英）：
A very low temperature of the process is used to manufacture various semiconductor devices on a substrate that does not include an epitaxial layer. Wherein the device is a non-isolated horizontal D-MOS. It includes a mode devices, and PN junction diode clamps and rectifiers and Termination - non-insulated extended drain or drift MOS device, horizontal trench DMOS, insulated horizontal DMOS, JFET and depletion. The process of removing the need for a high temperature process, and because it uses the "as implanted (as-implanted)" impurity profile, add or omit the device to the IC without having to change the process used to generate the remaining elements constitute a modular architecture that allows the.
公开/授权文献:
- KR1020130006544A 고전압 바이폴라-ＣＭＯＳ-ＤＭＯＳ 집적회로 디바이스와 이를 형성하는 모듈러 방법 公开/授权日：2013-01-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |