基本信息:
- 专利标题： 반도체 자기 조성물
- 专利标题（英）：Semiconductor ceramic composition
- 申请号：KR1020087002793 申请日：2005-08-11
- 公开(公告)号：KR101265369B1 公开(公告)日：2013-05-20
- 发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
- 申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**, Konan *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**, Konan *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 최달용
- 国际申请： PCT/JP2005/014769 2005-08-11
- 国际公布： WO2007023512 2007-03-01
- 主分类号： C04B35/468
- IPC分类号： C04B35/468
3 계 반도체 자기 조성물에 있어서, Pb를 사용하는 일 없이, 퀴리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킨, 반도체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, 또한 Ba를 특정량의 Q원소로 치환하거나, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, Ti의 일부를 특정량의 M원소로 치환함으로써, 최적의 원자가(原子價) 제어를 할 수 있고, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킬 수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도 검지기 등, 특히 자동차용 히터 등의 용도에 최적이다.
반도체 자기 조성물
The present invention, that in the BaTiO 3 based semiconductor ceramic composition, in which without using a Pb, together with that to shift the Curie temperature to a positive direction, decreases drastically the resistivity at room temperature, provides a semiconductor ceramic composition The purpose. The present invention, a portion of Ba A1 element with also substituted by (Na, K, at least one of Li) and A2 element (Bi), also substituting Ba with the Q element in a specific amount, or a part of Ba A1 element with also substituted by (Na, K, at least one of Li) and A2 element (Bi), by substituting a part of Ti as the element M in the specific amount, can be an optimum valence (原子 價) control, is optimal for applications such as may be decreased drastically the resistivity at room temperature, PTC thermistor, PTC heater, PTC switch, a temperature detector or the like, in particular for car heater. Semiconductor ceramic composition
公开/授权文献:
- KR1020080063264A 반도체 자기 조성물 公开/授权日：2008-07-03