KR101195612B1 금층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법
有权
基本信息:
- 专利标题： 금층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법
- 专利标题（英）：A field effect transistor comprising a gold layer, a microfluidic device comprising the field effect transistor and a method of detecting an analyte having a thiol group using the field effect transistor and microfluidic device
- 专利标题（中）：包括金层的场效应晶体管，包括场效应晶体管的微流体装置和使用场效应晶体管和微流体装置检测具有硫醇基的分析物的方法
- 申请号：KR1020060032413 申请日：2006-04-10
- 公开(公告)号：KR101195612B1 公开(公告)日：2012-10-29
- 发明人： 심저영 , 유규태 , 이규상 , 정원석 , 조연자 , 유창은
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/335 ; H01L29/78
FET, 금층, 티올기, 미세유동장치
The invention consists of a semiconductor material substrate; Are spaced apart from each other formed in said substrate and a source region and a drain region doped with the opposite polarity to the substrate; A channel region disposed between the source region and the drain region; An insulating layer consisting of electrically insulating material disposed on said channel region; And in the field-effect transistor including a gate electrode it is spaced apart on the insulating layer, further comprising a gold layer which is located on the insulating layer, the field-effect transistor for detecting an analyte having a thiol group, the field-effect transistor using the microfluidic device, and the field effect transistor and a microfluidic device including a provides a method for detecting an analyte comprising a thiol group. FET, a gold layer, a thiol group, a microfluidic device
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |