基本信息:
- 专利标题： 나노결정을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Memory device comprising nanocrystals and method for producing the same
- 专利标题（中）：包含纳米晶体的存储器件及其制造方法
- 申请号：KR1020060019301 申请日：2006-02-28
- 公开(公告)号：KR101194839B1 公开(公告)日：2012-10-25
- 发明人： 설광수 , 최성재 , 최재영 , 민요셉 , 장은주 , 이동기
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
상기 기판 내부에 형성되며, 서로 이격되어 위치하는 소스 영역; 및 드레인 영역;
상기 기판 표면에 형성되어, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 연결하며, 복수개의 나노결정을 포함하는 메모리 셀;
상기 메모리 셀 상에 형성되는 제어 게이트;를 구비하며,
상기 메모리 셀이 상기 기판 상에 형성되는 제 1 터널링 산화물층; 상기 제 1 터널링 산화물층 상에 형성되는 제 2 터널링 산화물층; 및, 상기 제 2 터널링 산화물층 상에 형성되는 복수개의 나노결정을 포함하는 제어 산화물층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 메모리 소자는 정전기적 인력을 주기 위한 아미노실란기를 도입할 수 있는 친수성의 제 2 터널링 산화물층을 구비함으로써 나노결정의 단일층 배열이 가능하여 소자 특성의 제어가 가능하고 보다 향상된 소자 특성을 보여주는 메모리 소자를 제공하는 것이 가능하다.
Board; Formed within the substrate, it is spaced apart from each other to position the source region; And a drain region; Memory cells formed on the substrate surface, and connecting the source region and the drain region, comprises a plurality of nanocrystals; Includes a,; a control gate formed on the memory cell The first tunneling oxide layer, the memory cells are formed on the substrate; A second tunneling oxide layer formed on the first tunneling oxide layer; And, a control oxide layer comprising a plurality of nanocrystals that are formed on the first tunneling oxide layer, and provides a memory device comprising: a. The memory element according to the invention is enabled and improved device characteristics control the device characteristics to be a single layer array of nanocrystals by a second tunneling oxide layer of the hydrophilic to introducing an aminosilane to give the electrostatic attraction it is possible to provide a memory device showing.
公开/授权文献:
- KR1020070089369A 나노결정을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법 公开/授权日：2007-08-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |