基本信息:
- 专利标题: 봉형상 구조 발광 소자, 봉형상 구조 발광 소자의 제조 방법, 백라이트, 조명 장치 및 표시 장치
- 专利标题(英):Bar type light emitting device, method of manufacturing the same, backlight, illumination device and display device
- 专利标题(中):棒式发光装置,其制造方法,背光,照明装置和显示装置
- 申请号:KR1020100099883 申请日:2010-10-13
- 公开(公告)号:KR101178468B1 公开(公告)日:2012-09-06
- 发明人: 네기시테쯔 , 시바타아키히데 , 모리시타사토시 , 코미야켄지 , 이와타히로시 , 타카하시아키라
- 申请人: 샤프 가부시키가이샤
- 申请人地址: * Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka, Japan
- 专利权人: 샤프 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 샤프 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: * Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka, Japan
- 代理人: 하영욱
- 优先权: JPJP-P-2009-240318 2009-10-19; JPJP-P-2009-240405 2009-10-19; JPJP-P-2009-240407 2009-10-19; JPJP-P-2009-264076 2009-11-19; JPJP-P-2009-275460 2009-12-03; JPJP-P-2009-275548 2009-12-03; JPJP-P-2009-277905 2009-12-07; JPJP-P-2010-176107 2010-08-05
- 主分类号: H01L33/20
- IPC分类号: H01L33/20
摘要:
전극 접속을 용이하게 하고 높은 발광 효율을 실현하기 위해서 봉형상 구조 발광 소자는 봉형상의 제 1 도전형의 반도체 코어와 상기 반도체 코어를 덮도록 형성된 제 2 도전형의 반도체층을 구비한다. 상기 반도체 코어의 일부의 외주면이 노출되어 있다.
摘要(英):
Facilitate the electrode connection rod shaped structure and a high light-emitting element to the light-emitting efficiency is achieved and a second conductive semiconductor layer formed to cover the first conductive type semiconductor of the semiconductor core and the bar-shaped core. Some of the outer peripheral surface of the core of the semiconductor is exposed.
公开/授权文献:
- KR1020110043461A 봉형상 구조 발광 소자, 봉형상 구조 발광 소자의 제조 방법, 백라이트, 조명 장치 및 표시 장치 公开/授权日:2011-04-27