基本信息:
- 专利标题： 탄소나노튜브를 게이트로 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Transistor using cnt for gate and fabrication method thereof
- 专利标题（中）：使用CNT的晶体管和其制造方法
- 申请号：KR1020100073924 申请日：2010-07-30
- 公开(公告)号：KR101160585B1 公开(公告)日：2012-06-28
- 发明人： 박병국 , 김상완
- 申请人： 서울대학교산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 代理人： 권오준
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
본 발명은 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판 위에 탄소나노튜브(CNT)를 게이트로 이용하고 전기적으로 가상 소스/드레인을 형성함으로써, 상용 가능한 수 나노 미터의 채널 길이를 가지는 모스펫(MOSFET) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
摘要（英）：
The present invention relates to a transistor and a method of manufacturing the same, more specifically to using a carbon nanotube (CNT) on a silicon substrate as the gate, and electrically by forming a virtual source / drain, a commercially available number nano having a channel length of the meter MOSFET (MOSFET) and to a method of manufacturing the same.
公开/授权文献:
- KR1020120012052A 탄소나노튜브를 게이트로 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법 公开/授权日：2012-02-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |