基本信息:
- 专利标题： 유기 실란, 유기 실록산 화합물을 포함해서 되는 절연막용 재료, 그 제조 방법 및 반도체 디바이스
- 专利标题（英）：Insulating film material containing organic silane or organic siloxane compound, method for producing same, and semiconductor device
- 专利标题（中）：含有有机硅烷或有机硅氧烷化合物的绝缘膜材料，其制造方法和半导体器件
- 申请号：KR1020057004905 申请日：2003-11-28
- 公开(公告)号：KR101156633B1 公开(公告)日：2012-07-03
- 发明人： 하라다이지 , 요시다게이스케
- 申请人： 도소 가부시키가이샤
- 申请人地址： ****, Kaisei-cho Shunan-shi, Yamaguchi ***-**** Japan
- 专利权人： 도소 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도소 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： ****, Kaisei-cho Shunan-shi, Yamaguchi ***-**** Japan
- 代理人： 신관호
- 优先权： JPJP-P-2002-00346226 2002-11-28; JPJP-P-2003-00198654 2003-07-17
- 国际申请： PCT/JP2003/015281 2003-11-28
- 国际公布： WO2004049422 2004-06-10
- 主分类号： H01B3/46
- IPC分类号： H01B3/46
摘要：
반도체 디바이스용의 층간 절연 재료에 매우 적합한, 화학 기상 성장법에 의해 형성되는 절연막용 재료, 및 그러한 재료로부터 형성되는 절연막 및 절연막을 이용한 반도체 디바이스를 제공한다.
2급 탄화수소기 및 알케닐기, 또는 알케닐기가 규소 원자에 직접 결합한 유기 실란 탄화수소기 및／또는 알케닐기가 규소 원자에 직결한 유기 실록산 화합물의 어느 것으로 구성되는 일반식 (1) 내지 일반식 (4)로 표시되는 유기 규소 화합물을 포함하며, 절연막이 상기 유기 규소 화합물의 화학 기상 성장법에 의해 형성되는 절연막용 재료.
摘要（英）：
2급 탄화수소기 및 알케닐기, 또는 알케닐기가 규소 원자에 직접 결합한 유기 실란 탄화수소기 및／또는 알케닐기가 규소 원자에 직결한 유기 실록산 화합물의 어느 것으로 구성되는 일반식 (1) 내지 일반식 (4)로 표시되는 유기 규소 화합물을 포함하며, 절연막이 상기 유기 규소 화합물의 화학 기상 성장법에 의해 형성되는 절연막용 재료.
Provides a very suitable, the semiconductor device using the insulating film and the insulating film formed from insulating material, and such a material is formed by a chemical vapor deposition method on the interlayer insulating material for a semiconductor device. Secondary hydrocarbon group, and an alkenyl group, or an Al formula are alkenyl groups groups directly bonded organosilane hydrocarbon group and / or alkenyl on the silicon atoms consists of any of the organosiloxane compounds directly to the silicon atom of (1) to formula (4 ) for the insulating material which comprises an organic silicon compound represented by the insulating film formed by a chemical vapor deposition method of the organic silicon compound.
公开/授权文献:
- KR1020050084821A 유기 실란, 유기 실록산 화합물을 포함해서 되는 절연막용 재료, 그 제조 방법 및 반도체 디바이스 公开/授权日：2005-08-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B3/00 | 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 |
| --------H01B3/02 | .主要由无机物组成的 |
| ----------H01B3/30 | ..塑料；树脂；蜡 |
| ------------H01B3/46 | ...硅树脂 |