专利号KR1020107026203 | 4개의 모스펫 풀 브릿지 모듈

专利标题： 4개의 모스펫 풀 브릿지 모듈
专利标题（英）：Four mosfet full bridge module
专利标题（中）：四个MOSFET全桥模块
申请号：KR1020107026203 申请日：2009-05-27
公开(公告)号：KR101149298B1 公开(公告)日：2012-05-24
发明人： 리우,용 , 쳰,추샤오시아오 , 장,장위안 , 스피드,마이크 , 이정태 , 정,루크,에이치.
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
申请人地址： **** Borregas Avenue, Sunnyvale, CA, *****, U.S.A.
专利权人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
当前专利权人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
当前专利权人地址： **** Borregas Avenue, Sunnyvale, CA, *****, U.S.A.
代理人： 김문종; 손은진
优先权： US12/128,130 2008-05-28
国际申请： PCT/US2009/045255 2009-05-27
国际公布： WO2009154969 2009-12-23
主分类号： H01L25/07
IPC分类号： H01L25/07 ; H01L23/34 ; H01L25/11

摘要：

몰디드 리드리스 패키징된 반도체 멀티칩 모듈(100)은 풀 브릿지 회로를 위한 4개의 모스펫(10, 12, 14, 16)을 갖는다. 모스펫은 2개의 N-채널 및 2개의 P-채널 디바이스 또는 동일한 유형의 4개의 모스펫을 포함할 수 있지만 4개의 N-채널이 바람직하다. 모듈(100)에는 모스펫을 조립하기 위한 2개의 리드프레임(30, 40)이 있다. 특히, 2개의 N-채널 및 2개의 P-채널 디바이스는 2개의 리드프레임의 사이에 배치되고 전기 절연성 몰딩 컴파운드(84)에 캡슐화된다. 결과적 패키지는 모스펫으로부터의 열기를 주변 대기로 전달하기 위하여 몰딩 컴파운드(84)에서 노출되는 4개의 상부 히트 싱크(44.1-44.4)를 갖는다. 와이어 본딩은 필요하지 않다. 이것은 온 저항(RDSON)을 상당히 감소시킬 수 있다. 상부 또는 소스-드레인 리드프레임(30)은 브릿지 모스펫의 소스 및 게이트로 솔더링될 수 있다.

摘要（中）：

具有焊接无引线封装的模制多芯片模块100具有用于全桥电路的四个MOSFET 10,12,14和16。 MOSFET可以包括两个N沟道和两个P沟道器件或者四个相同类型的MOSFET，但是优选四个N沟道。模块100具有用于组装MOSFET的两个引线框架30,40。具体而言，两个N沟道器件和两个P沟道器件设置在两个引线框架之间并且封装在电绝缘模制化合物84中。得到的封装具有暴露在模塑料84中的四个顶部散热器44.1-44.4，用于将热量从MOSFET传递到周围大气。不需要焊线。这可以显着降低导通电阻（RDSON）。顶部或源极 - 漏极引线框架30可以焊接到桥式MOSFET的源极和栅极。

摘要（英）：

Molded leadless packaged semiconductor multichip module 100 has four MOSFETs (10, 12, 14, 16) for the full bridge circuit. MOSFET 2 may include four N- channel MOSFET of the two P- and two-channel devices or the same type, but is preferably a four N- channel. Module 100 has two lead frames 30, 40 for assembling a MOSFET. In particular, it encapsulated in two channels, and two N- P- channel device is disposed between two of the lead frame is electrically insulating molding compound (84). As a result, the package has four upper heat sink (44.1 to 44.4) to be exposed in the molding compound (84) to deliver into the ambient atmosphere from the heat of the MOSFET. Wire bonding is not necessary. This can significantly reduce the on-resistance (RDSON). Upper or source-drain lead frame 30 may be soldered to bridge the MOSFET source and gate.

KR1020110019731A 4개의 모스펫 풀 브릿지 모듈 公开/授权日：2011-02-28

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L25/00	由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
--------H01L25/03	.所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
----------H01L25/04	..不具有单独容器的器件
------------H01L25/07	...包含在H01L29/00组类型的器件

发明授权 KR101149298B1 4개의 모스펫 풀 브릿지 모듈 有权

基本信息:

公开/授权文献:

信息查询:

IPC结构图谱:

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式