基本信息:
- 专利标题： 반도체용 본딩 와이어
- 专利标题（英）：Bonding wire for semiconductor
- 专利标题（中）：用于半导体的接线
- 申请号：KR1020107016610 申请日：2010-02-12
- 公开(公告)号：KR101144406B1 公开(公告)日：2012-05-10
- 发明人： 우노도모히로 , 데라시마신이치 , 야마다다카시 , 오이시료 , 오다다이조
- 申请人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 , 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-*, Ginza, Chuo-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤,닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤,닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-*, Ginza, Chuo-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2009-063874 2009-03-17
- 国际申请： PCT/JP2010/052029 2010-02-12
- 国际公布： WO2010106851 2010-09-23
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
본 발명은 볼 접합성과 와이어 가공성을 양립하는 것이 가능하고, 루프 안정성, 당김 강도, 웨지 접합성을 향상시킨 복층 와이어를 제공하는 것을 목적으로 한다. Cu, Au, Ag 중 1종 이상의 원소를 주성분으로 하는 심재와, 상기 심재 상에 Pd를 주성분으로 하는 외층을 구비하고, 와이어 전체에 함유된 총계의 수소 농도가 0.0001 ~ 0.008 질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체용 본딩 와이어이다.
摘要（英）：
The present invention it is possible to see both the wire bonding properties and processability, an object to provide a multi-layer wire with improved loop stability, pulling resistance, wedge bonding properties. Cu, Au, and the core material containing as a main component at least one element of Ag, having an outer layer composed mainly of Pd on the core material, the range of hydrogen concentration is 0.0001 ~ 0.008% by weight of the total amount of contained in the entire wire bonding wire for a semiconductor according to claim.
公开/授权文献:
- KR1020100116174A 반도체용 본딩 와이어 公开/授权日：2010-10-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |